福吉米 GLANZOX系列抛光液半导体CMP抛光液硅片抛光研磨液

磨料与配方优势：该系列多采用高纯度胶体二氧化硅作为核心磨料，纯度普遍≥99.9%，且磨料颗粒经球形化处理，粒径分布窄（多集中在 5 - 100nm）。这种设计既能通过机械研磨高效去除硅片表面多余材质，又能避免尖锐颗粒造成的划痕、挖伤等缺陷，抛光后硅片表面精度可达到埃级标准。同时部分型号添加专用缓蚀剂与分散剂，防止抛光过程中硅片表面氧化，且避免磨料团聚影响抛光均匀性。
适配 CMP 工艺的兼容性：适配半导体 CMP 工艺的核心需求，配方可根据加工需求调节 pH 值，粗抛时通常可调节至碱性较强的 11 左右，精抛时调节至 9.5 左右的弱碱性区间。此外，浓缩型配方是其显著特点，使用时可通过去离子水进行 5 - 20 倍稀释，既降低使用成本，又能适配不同抛光设备的流量与压力参数，适配性强

磨料与配方优势：该系列多采用高纯度胶体二氧化硅作为核心磨料，纯度普遍≥99.9%，且磨料颗粒经球形化处理，粒径分布窄（多集中在 5 - 100nm）。这种设计既能通过机械研磨高效去除硅片表面多余材质，又能避免尖锐颗粒造成的划痕、挖伤等缺陷，抛光后硅片表面精度可达到埃级标准。同时部分型号添加专用缓蚀剂与分散剂，防止抛光过程中硅片表面氧化，且避免磨料团聚影响抛光均匀性。
适配 CMP 工艺的兼容性：适配半导体 CMP 工艺的核心需求，配方可根据加工需求调节 pH 值，粗抛时通常可调节至碱性较强的 11 左右，精抛时调节至 9.5 左右的弱碱性区间。此外，浓缩型配方是其显著特点，使用时可通过去离子水进行 5 - 20 倍稀释，既降低使用成本，又能适配不同抛光设备的流量与压力参数，适配性强

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